halo implant作用
,一般而言,在初始製造階段,半導體層102以連續的半導體材料提供,隨後可分割成多個半導體區或作用...(haloimplantation)。在此策略中,N通道電晶體與P型通道電晶體各需要兩 ...,,其中一種選擇就是利用高介電係數閘極氧化層結構來提昇元件性能的目的...TheImpactof...
應用於超低功率互補式傾斜閘極穿隧場效電晶體之設計
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halo)Implant來阻斷表面下貫穿(SubstratePunch-through),因此Vth,lin通常...目的,利用施打不同類型的pocket調變穿.隧接面達成非對稱性結構且能夠提升驅動電流 ...
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